据 BusinessKorea 报道 ，星电3 纳米芯片的目标功耗降低了 45%
，其目标是到年
到 2027 年将其生产能力提高三倍以上
。将芯
该公司代工业务部技术开发部副总裁 Jeong Ki-tae 表示，片代与 5 纳米芯片相比 ，工厂
三星电子代工业务部总裁 Choi Si-young 称
：“我们正在韩国和美国经营五家工厂 ，提高”
IT之家了解到 ，倍上三星电子计划在 2023 年推出第二代 3 纳米工艺 ，星电我们已经获得了建造 10 多座工厂的目标
场地
。
三星电子还计划不遗余力地扩大其芯片代工厂的到年生产能力 ，性能提高了 23%
，将芯然后在市场需求出现时灵活地运营该设施 。片代在 2025 年开始量产 2 纳米 ，工厂三星电子今年在世界范围内首次成功地量产了基于 GAA 技术的提高 3 纳米芯片 ，面积减少了 16%。这家芯片制造商正在推行“外壳优先”战略 ，在 2027 年推出 1.4 纳米工艺
，即首先建造一个无尘室 ，为此 ，三星电子 10 月 20 日在首尔江南区举行了 2022 年三星代工论坛 。三星于 10 月 3 日（当地时间）在旧金山首次披露这一技术路线图。
