稳定D技全彩来突D研高色功破 术迎发成

　　台湾交通大学的技术郭浩中教授等人 ，即可实现全彩的迎突D研功能 ，高对比、破高如何将红、色稳大幅减少LED光源本身的定全发光波长偏移(Wavelength-shift)现象，譬如蓝绿光LED芯片会随着操作电流改变，发成不利于显示器的技术使用，制作出高色稳定的迎突D研全彩Micro LED阵列 ，备受看好 。破高产生发光颜色变化的色稳现象，绿的定全LED芯片的方法，搭配传统的发成微影制程，

　　该团队采用半极化磊晶技术制作LED芯片，技术且量子点荧光粉的迎突D研演色性相当突出 。绿三种颜色的破高LED芯片快速且精确地接合至面板的驱动电路上，该团队长期专注在量子点荧光粉色转换技术的应用，以及克服芯片材料特性不同的挑战，制作出高色稳定的全彩Micro LED阵列，蓝、大幅降低转移制程的困难度。相关研究成果已被Photonics Research期刊接受
，自发光
、其中最困扰研究人员与制造商的便是巨量转移制程(Mass transfer process)，然而最近有学者们采用半极化Micro LED结合量子点荧光粉光阻技术，取代分别转移红、特别是红光Micro-LED还有易碎等问题 ，将量子点荧光粉与光阻液混合，只需要一种颜色的LED芯片（蓝光或近紫外光）搭配不同颜色的量子点荧光粉，为Micro LED显示器技术的发展注入一股新血。该技术透过特殊的方法 ，除了巨量转移制程的挑战
，因此巨量转移技术至今仍没有能达到量产的解决方案被提出 。　　Micro LED发展一直受到技术限制 ，意味着显示器为了配合环境光源改变亮度时 ，理想的Micro LED显示器具有高像素 、研究团队成功实现了高色稳定的全彩Micro LED阵列 ，藉由半极化材料的特性
，

就有可能产生颜色变化  ，相关成果即将发表
。

　　然而，厦门大学的研究人员合作 ，低能耗及寿命长等各种优势，达到大面积制作彩色像素需求 ，同时具有大面积制造的可能性，并即将发表。


　　图片来源: Chen et al. 2020

　　研究团队主持人郭浩中表示，进而克服色偏移的问题；在这个研究中的第二个突破就是采用量子点荧光粉光阻技术，建立在LED高效能的基础上，LED芯片本身也面临不少问题。

　　Micro LED被视为取代TFT-LCD及OLED display的次世代显示器技术 。耶鲁大学、

　　郭浩中也提到 ，与美国新创公司Saphlux、为了减少巨量转移的次数，当前的Micro LED仍面临许多困难需要克服，结合上述两种技术，蓝、因此必须解决LED芯片色偏移的问题。

　　最后，采用半极化(Semipolar)的Micro LED结合量子点荧光粉光阻(Quantum dot photoresist)的技术 ，