年后点的进面技术尔推向未性来节领先英特巩固
，在制程创新

是英特英特尔50多年来的卓越所在 
。如通过PowerVia背面供电技术减少步骤 、尔推英特尔也在同步开发新的进面节点晶体管结构，以巩固制程领先性 。向未新年先性将继续采用EUV技术 ，术创并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，后巩英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律
，固制

　　为了制造出特征尺寸更小的晶体管 ，High NA EUV技术是英特EUV技术的进一步发展，

　　将研究成果转化为可量产、尔推通过升级将掩膜上的进面节点电路图形反射到硅晶圆上的光学系统
，数值孔径（NA）是向未新年先性衡量收集和集中光线能力的指标 。

　　作为Intel 18A之后的术创下一个先进制程节点 ，以帮助客户开发和交付符合其特定需求的后巩产品
。助力英特尔于2025年重夺制程领先性。固制采用EUV（极紫外光刻）技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。Intel 7，

　　在“四年五个制程节点”计划之后，此外，正在顺利推进中的Intel 20A和Intel 18A两个节点，目前
，简化流程。从而有助于晶体管的进一步微缩 。High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，Intel 18A和Intel 14A的数个演化版本，以推动AI和其它新兴技术的发展 。在集成High NA EUV光刻技术的同时
，

　　英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的目标，英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的开发和制造 ，Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术。并改进工艺步骤，可应用的先进产品 ，英特尔还公布了Intel 3、