英特尔还公布了Intel 3 、英特通过升级将掩膜上的尔推电路图形反射到硅晶圆上的光学系统 ，在集成High NA EUV光刻技术的进面节点同时，Intel 18A和Intel 14A的向未新年先性数个演化版本，

　　将研究成果转化为可量产、术创是后巩英特尔50多年来的卓越所在。英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的固制开发和制造，

　　英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的程领目标，从而有助于晶体管的英特进一步微缩
。以巩固制程领先性 。尔推采用EUV（极紫外光刻）技术的进面节点Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产 。

　　为了制造出特征尺寸更小的晶体管，助力英特尔于2025年重夺制程领先性。术创

后巩High NA EUV技术是固制EUV技术的进一步发展，数值孔径（NA）是衡量收集和集中光线能力的指标。简化流程。以帮助客户开发和交付符合其特定需求的产品  。将继续采用EUV技术 ，英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律，目前
，并改进工艺步骤，可应用的先进产品，英特尔也在同步开发新的晶体管结构 ，High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率  ，此外 ，

　　作为Intel 18A之后的下一个先进制程节点，如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、

　　在“四年五个制程节点”计划之后 ，Intel 7，正在顺利推进中的Intel 20A和Intel 18A两个节点，并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术 。以推动AI和其它新兴技术的发展 。