注
：HBM3 ：指的消息是 HBM 第三个标准
，可能是称星存芯英伟达的要求更高所以暂时三星还不搞定技术难题，那么三星电子自然还不算是内能通该芯片的供应商 ，只能看着 SK 海力士和美光了
 。片因目前英伟达的发热主力供应商仍然是 SK 海力士 。

现在汤森路透发布消息称三星向英伟达供应的和功耗问 HBM3 内存芯片因为存在发热和功耗问题
，不过三星随即发布声明进行辟谣。过英

伟达主要适用于高存储器带宽需求的测点网场景组合，没有成功通过英伟达的试蓝测试 。每个标准里面还有不同的消息 “代” 比如 HBM3E
，

三星在 HBM 系列内存芯片上似乎遇到了一些问题 ，称星存芯

消息称三星从去年开始就一直在尝试通过英伟达的内能通 HBM3 和 HBM3E 的测试 ，

当然英伟达有自己的片因测试标准，其中 8 层和 12 层的发热 HBM3E 芯片最近的一次失败测试结果在 4 月公布 。这种情况似乎也凸显三星在 HBM 芯片上落后于 SK 海力士和美光了。所以这里指的并不是第三代。这是一种基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM，三星其实也已经向其他客户供应此类芯片，

不过从今年开始英伟达已经开始接受三星电子和美光提供的 HBM3 内存芯片 ，由后者独家供应 HBM3 内存芯片。因此英伟达最初与 SK 海力士达成合作 ，三家供应商里当前似乎也只有三星电子遇到问题 ，

既然没有成功通过英伟达测试 ，尤其是图形处理器、

HBM 即高带宽存储器，

英伟达的 AI 加速产品都需要极高的带宽来提高性能，网络交换和转发设备 。今年 2 月就有传闻称三星电子向英伟达供应的 HBM 内存存在裂纹而被英伟达拉黑，