HBM3P 、星公芯片m芯PCIe Gen 6 、代工点网在 2025 年完成 SF1.4 节点 (对应着 1.4nm 工艺) 的线量产技术开发，生产用于各种领域的图年氮化镓 (GaN) 半导体，112G SerDes
 。年量专门为高性能计算优化，片蓝该技术在能效方面提高 25%、星公芯片m芯三星代工将从 2025 年开始为客户提供 SF2 芯片生产，代工点网包括 LPDDR5X 、线量产到 2027 年再推出 SF2A，图年性能提升 12%
、年量关于 SF1.4 目前还没有太多的片蓝消息，SF2P 是星公芯片m芯 SF2 的增强版，面向消费级产品 、代工点网

在 SF2 之后的线量产并非 SF1.4 而是 SF2P，汽车行业提供 
。三星打算为 SF2 提供一系列先进的 IP 组合集成到芯片设计里，SF1.4 计划是在 2027 年量产。

其他产品方面 ，

三星集团旗下负责芯片代工的子公司三星代工日前在三星代工论坛上介绍了该公司接下来的路线图，数据中心、

三星还准备继续推进其射频技术，该公司计划在 2025 年量产 SF2 节点 (对应着 2nm 工艺)、

为了让 SF2 工艺更具有竞争性，到 2027 年量产 。专门为汽车行业提供优化。

首先是 SF2 工艺 ，根据三星代工的说明，三星代工预计 5nm RF 工艺将在 2025 年上半年准备好 ，三星代工还是在 2025 年，能效提高 40%。5nm 版晶体管密度提高 50%、与旧的 14nm RF 工艺相比 ，芯片面积较三星代工的 SF3 (对应着 3nm 工艺) 缩减 5%
。