研究结果已发表在《科学报告》（Scientific Reports）杂志上。韩国三星尖端技术研究院（Samsung Advanced Institute of Technology）、实现D商韩国首尔国立大学（SNU）的新突研究团队成功在100nm的蓝宝石纳米薄膜上生长出Micro LED阵列。Micro LED商业化进程将由此而加快。业化此技术突破克服了现阶段Micro LED制造工艺的进程将加局限，

　　研究团队认为，韩国并获得三星未来技术推广中心（Samsung Future Technology Promotion Center）、实现D商简化了制程
 ，新突　　导读：据外媒消息 ，业化

　　同时，进程将加因此 ，韩国降低了成本。实现D商除了SNU研究者以外，新突


　　图片来源: 《科学报告》/SNU

　　相比在平面基板上生长的业化氮化镓基Micro LED，提供更高的进程将加外量子效率（EQE）
。并且认为 ，韩国首尔国立大学成功研究出了新型Micro LED阵列，内量子效率（IQE）提高了44%
。

　　据悉，此外，此技术突破了现阶段Micro LED显示技术的局限 ，这种方法无需经过等离子蚀刻工艺就能够实现Micro LED芯片的单片化，将加快Micro LED显示技术的商业化进程 。

SNU的材料科学和工程系团队设计出一种蓝宝石纳米薄膜阵列，还可以通过机械力破坏蓝宝石纳米薄膜，

　　据报道，韩国教育部BK21 Plus项目及韩国研究基金会（Korea Research Foundation）的支持。由此方法生长出的Micro LED的光致发光能力是前者的3.3倍。可轻易将Micro LED与基板分离并转移至显示驱动背板上 ，用于生长尺寸为4μm Χ 16μm的Micro LED阵列 。韩国科学技术院（KAIST）以及韩国光子技术研究所（Korea Photonics Institute）也参与了这项技术研究
，在蓝宝石纳米薄膜上生长Micro LED的新方法将Micro LED的位错密度降低了59.6% 
，

　　据论文显示，